信息來源于：互聯(lián)網(wǎng) 發(fā)布于：2021-10-31
單片機(jī)中安裝了各種各樣的存儲器。半導(dǎo)體制造商還開發(fā)了特殊類型的存儲器，我們無法全部解釋。因此，在本文中，主要以“STM32系列”中的存儲器為例，該存儲器是通用的32位單片機(jī)。
一、非易失性存儲器
即使關(guān)閉電源也可以保留其內(nèi)容的存儲器（存儲設(shè)備）。還包括用于IC芯片的ROM、廣義的HDD、軟盤（FDD）、磁帶等，但是由于ROM用于單片機(jī)，因此我們將重點介紹ROM。
ROM是“只讀存儲器”的縮寫，顧名思義，它是“只讀存儲器”。即使您說“只讀”，如果用戶不能重寫它也是很不方便的，所以最近，出現(xiàn)了一種稱為可編程ROM的ROM，它可以重寫內(nèi)容。根據(jù)存儲方法和用途，有各種ROM。
（1）FLASH
近年來，F(xiàn)LASH已經(jīng)成為安裝在單片機(jī)中的ROM的主流?？梢詫ζ溥M(jìn)行電擦除和重寫，從而使用戶可以輕松更改程序代碼。用于重寫單個存儲單元的機(jī)制與稍后描述的EEPROM完全相同，但是通過使擦除單元大于EEPROM，可以減少整個存儲模塊中的晶體管數(shù)量。因此，不能以字節(jié)或位為單位擦除FLASH，而主流方法是一次電擦除整個芯片（或扇區(qū)單元）。如果容量相同，則可以在小于EEPROM的區(qū)域內(nèi)制作，因此可以實現(xiàn)大容量的可編程ROM。
過去，由于制造成本高而很少使用它，但是近來，隨著制造成本的降低，它通常用作單片機(jī)指令的存儲器。當(dāng)然，它也可以用于數(shù)據(jù)。
（2）EEPROM
類似于FLASH，它是一種可以電擦除和重寫的ROM。對于EEPROM，可以以字節(jié)為單位進(jìn)行寫入和擦除，因此用戶可以以與RAM相同的方式使用它（但是重寫需要時間）。由于該區(qū)域大于FLASH，因此無法在微計算機(jī)上安裝大容量。因此，它主要用于數(shù)據(jù)存儲，特別是用于即使電源關(guān)閉也要保留的數(shù)據(jù)。當(dāng)然，它也可以用于指令，但是由于容量不是很大，因此只能用于小的指令代碼。
（3）其他ROM
除上述以外，還有掩碼ROM和EPROM（可擦可編程ROM）。
掩模ROM是在單片機(jī)的制造過程中創(chuàng)建內(nèi)容的ROM。用戶無法重寫內(nèi)容。另外，由于從訂購到交貨需要時間，因此目前很少使用。
EPROM以電子方式進(jìn)行寫入，但是包裝上有一個暴露在紫外線下的窗口以將其擦除。在EPROM中，只能寫入一次的EPROM稱為OTP（一次性可編程ROM）。
它只能使用便宜的無窗口軟件包編寫一次，此后不能擦除，但是它比普通的EPROM便宜，因此它經(jīng)常在FLASH問世之前使用。
在STM32系列中，有些帶有內(nèi)置FLASH的產(chǎn)品具有OTP區(qū)域。寫入一次以防止重寫后可以鎖定（保護(hù)）的區(qū)域稱為OTP區(qū)域。您可以保護(hù)程序免于意外重寫和篡改黑客程序。
二、易失性存儲器
它是一種存儲器（存儲設(shè)備），在關(guān)閉電源時其內(nèi)容將被擦除。即使在關(guān)閉電源的情況下，也不需要保留在單片機(jī)的計算和計算過程中使用的數(shù)據(jù)，因此在您要保存臨時數(shù)據(jù)時使用它。單片機(jī)中安裝的大多數(shù)RAM是易失性存儲器。
RAM：隨機(jī)存取存儲器
隨機(jī)存取存儲器的縮寫稱為RAM。就像閱讀一樣，它是一種“可以不受限制地讀寫的存儲器”。RAM是一種保存內(nèi)容的方法，可以大致分為兩種類型。
（1）SRAM（靜態(tài)RAM）
使用觸發(fā)器配置邏輯作為存儲單元并靜態(tài)保存數(shù)據(jù)的RAM。即使被稱為觸發(fā)器，由于邏輯規(guī)模變大，因此不使用圖3（a）所示的鎖存電路。通常，使用逆變器的反饋類型。由于根據(jù)邏輯電路的輸出是H電平還是L電平來保留內(nèi)容，因此易于使用并且容易實現(xiàn)低功耗。包括STM32系列在內(nèi)的許多單片機(jī)的內(nèi)部RAM是SRAM。
（2）DRAM（動態(tài)RAM）
DRAM通常不內(nèi)置在單片機(jī)中，但是DRAM控制器是作為外圍功能內(nèi)置的，因此我將對其進(jìn)行介紹。
使用動態(tài)類型存儲單元保存內(nèi)容的RAM稱為動態(tài)RAM（DRAM）。它由一個晶體管和一個小容量電容器組成，并根據(jù)電容器中是否存在電荷來保存數(shù)據(jù)。
電容器中充電的電荷是泄漏電流，該泄漏電流會隨著時間的流逝而衰減，因此必須定期將電池恢復(fù)到其原始狀態(tài)。這稱為刷新。使用單詞“動態(tài)”是因為刷新操作是動態(tài)操作。
由于存儲單元的結(jié)構(gòu)非常簡單，因此可以減小面積并可以創(chuàng)建大量的RAM。使用相同的面積，您可以創(chuàng)建四倍于SRAM的容量。但是，用戶必須提供刷新控制電路。
某些單片機(jī)（包括STM32系列）具有外圍功能，可以在刷新DRAM時對其進(jìn)行訪問。
（3）其他RAM
除上述之外，安裝在單片機(jī)中的RAM包括FeRAM（鐵電隨機(jī)存取存儲器），它是非易失性RAM。當(dāng)前，諸如FeRAM之類的非易失性RAM僅在特定的單片機(jī)中使用。
